提示词描述

本文介绍了一种新型的基于12个晶体管传输门、低功耗（TGLP12T）的SRAM存储单元，该单元采用碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）技术，适用于32纳米工艺的电池供电植入式医疗设备。该单元核心通过采用单端读/写架构来解决传统SRAM阵列中普遍存在的半选问题，从而促进位交织。该设计在下拉网络中集成了堆叠的NCNTFET，以增强写入能力和写入噪声容限，并在上拉路径中集成了PCNTFET，以抑制漏电功耗。完全解耦的读取路径提高了读取静态噪声容限（RSNM），而传输门控制的访问晶体管和核心反相器堆叠有助于降低动态和静态功耗。使用斯坦福CNTFET模型的全面HSPICE仿真验证了TGLP12T单元的性能。