
1. 晶核形成位置從 Fe-C 表面轉移至菱鐵礦表面。 菱鐵礦表面的晶格缺陷(例如空位和摻雜位置)具有較低的表面能,是膠體優先的晶核形成位置。掃描電子顯微鏡 (SEM) 顯示,在沒有菱鐵礦的情況下,超過 90% 的鈍化殼層分佈在 Fe-C 表面。添加菱鐵礦後,75% 至 80% 的鈍化殼層沉積在菱鐵礦顆粒表面,僅有少量鬆散沉澱物殘留在 Fe-C 表面,活性位點保留率提高了 70% 以上。 2. 晶核形成位置從「單點聚集」轉變為「多點分散」。 在無菱鐵礦的系統中,鈍化殼層的晶核形成位置集中在 Fe-C 陽極的邊緣位置(電子密度最高的區域),形成局部緻密的殼層。菱鐵礦的加入使填充劑系統呈現「Fe-C/菱鐵礦/惰性填充劑」多顆粒混合狀態,晶核形成位置分散在每個顆粒的表面。殼層無法形成連續塗層,分散的殼層容易受到水力沖刷和剝落,進一步延遲了鈍化過程。 3. 晶核形成位置的類型從「活性反應位點」轉變為「惰性載體位點」。 沒有菱鐵礦時,晶核形成位置是 Fe-C 表面的活性位點,殼層的形成直接阻礙了微電解反應。添加菱鐵礦後,晶核形成位置轉變為菱鐵礦表面的非反應位點。即使形成少量殼層,也不會影響 Fe-C 的電極反應和電子轉移,只需定期反沖洗即可去除菱鐵礦表面的鬆散沉澱物。 基於以上文字,創建三種類別的科學研究示意圖。
1. 整體佈局與視覺敘事 核心佈局:採用「左實右虛」的平行結構。 左側(物理世界):展示一個由智慧元件、多場耦合實驗...