![## 第一部分：頂部標題與整體範式定位：位於技術路線圖頂部，居中。
內容：主標題：文字：光探測器研究路線圖 字體大小：28點，粗體。 副標題/研究範式：文字：“計算-製備-構建-設計”四位一體研究範式 字體大小：20點，粗體，字體顏色為深灰色。 整體時間軸：文字：在標題下方繪製一條橫向箭頭，貫穿整個圖表。 標籤：在箭頭上方等距標記“階段1”、“階段2”、“階段3”、“階段4”，並標記虛擬時間，例如“M1-M6”、“M7-M12”等。 箭頭樣式：2點粗細，黑色。
## 第二部分：階段1 - 計算 定位：位於整體時間軸的“階段1”下方。 結構：垂直分為四層。
第一層：階段標題欄 文字：階段1：理論計算與機理闡明 字體大小：22點，白色，粗體。 背景：深藍色矩形，寬度等於階段內容。 第二層：核心方法 文字：[核心方法] DFT | 第一性原理 | 分子動力學 字體大小：16點，粗體。 樣式：淺藍色圓角矩形，文字居中。 第三層：研究內容（三個方框並列） 方框1：標題：A位離子取代 內容：A₄PbCl₆ 計算 字體大小：標題14點粗體，內容12點。 方框2：標題：B位離子摻雜 內容：Sb³⁺ 摻雜 字體大小：同上。 方框3：標題：理論預測 內容：介電函數；吸收光譜 字體大小：同上。 樣式：白色方框，黑色細邊框，左對齊佈局。 第四層：階段目標與關鍵技術圖示 左半部分 - 階段目標方框：文字：[階段目標] 揭示內在物理機制，建立“結構-性質”關係的理論模型。 字體大小：15點，白色，粗體。 樣式：綠色圓角矩形。 右半部分 - 關鍵技術/理論圖示意圖方框：標題：圖1：A₄PbCl₆ 體系的能帶結構 內容：[在此處放置一個虛擬能帶圖，標記帶隙值 Eg1, Eg2...]。 字體大小：圖標題12點，圖中虛擬文字10點。 樣式：灰色背景方框，稍粗邊框。
## 第三部分：階段2 - 製備 定位：緊鄰階段1右側，由整體時間軸箭頭連接。 結構：與階段1相同，垂直分為四層。
第一層：階段標題欄 文字：階段2：可控合成 樣式：與之前相同。 第二層：核心方法 文字：[核心方法] 改進的熱注入法 | 再沉澱法 | 離子摻雜 樣式：與之前相同。 第三層：研究內容（3個方框並列） 方框1：量子點合成 方框2：Sb³⁺/Bi³⁺ 摻雜改性材料製備 方框3：結構與光譜表徵 (XRD, TEM, PL, UV-Vis)，樣式與字體大小：與階段1相同。 第四層：階段目標與關鍵技術圖示 左半部分 - 階段目標方框：文字：[階段目標] 製備高純度氯基納米材料，實現精確的帶隙控制。 右半部分 - 關鍵技術圖示方框：標題：圖2：工藝流程圖 內容：[包含諸如“離心純化”等步驟的虛擬流程圖]。 樣式：與之前相同。](/_next/image?url=https%3A%2F%2Fpub-8c0ddfa5c0454d40822bc9944fe6f303.r2.dev%2Fai-drawings%2Fxy42eVLsyOsEMBexsTshhAdDH3IiPLYN%2Fb1e5e362-2c03-4d1c-b19c-8720276243d7%2F3811c8df-adbb-4f56-9ff1-410083273dc3.png&w=3840&q=75)
提示詞描述
## 第一部分：頂部標題與整體範式定位：位於技術路線圖頂部，居中。 內容：主標題：文字：光探測器研究路線圖 字體大小：28點，粗體。 副標題/研究範式：文字：“計算-製備-構建-設計”四位一體研究範式 字體大小：20點，粗體，字體顏色為深灰色。 整體時間軸：文字：在標題下方繪製一條橫向箭頭，貫穿整個圖表。 標籤：在箭頭上方等距標記“階段1”、“階段2”、“階段3”、“階段4”，並標記虛擬時間，例如“M1-M6”、“M7-M12”等。 箭頭樣式：2點粗細，黑色。 ## 第二部分：階段1 - 計算 定位：位於整體時間軸的“階段1”下方。 結構：垂直分為四層。 第一層：階段標題欄 文字：階段1：理論計算與機理闡明 字體大小：22點，白色，粗體。 背景：深藍色矩形，寬度等於階段內容。 第二層：核心方法 文字：[核心方法] DFT | 第一性原理 | 分子動力學 字體大小：16點，粗體。 樣式：淺藍色圓角矩形，文字居中。 第三層：研究內容（三個方框並列） 方框1：標題：A位離子取代 內容：A₄PbCl₆ 計算 字體大小：標題14點粗體，內容12點。 方框2：標題：B位離子摻雜 內容：Sb³⁺ 摻雜 字體大小：同上。 方框3：標題：理論預測 內容：介電函數；吸收光譜 字體大小：同上。 樣式：白色方框，黑色細邊框，左對齊佈局。 第四層：階段目標與關鍵技術圖示 左半部分 - 階段目標方框：文字：[階段目標] 揭示內在物理機制，建立“結構-性質”關係的理論模型。 字體大小：15點，白色，粗體。 樣式：綠色圓角矩形。 右半部分 - 關鍵技術/理論圖示意圖方框：標題：圖1：A₄PbCl₆ 體系的能帶結構 內容：[在此處放置一個虛擬能帶圖，標記帶隙值 Eg1, Eg2...]。 字體大小：圖標題12點，圖中虛擬文字10點。 樣式：灰色背景方框，稍粗邊框。 ## 第三部分：階段2 - 製備 定位：緊鄰階段1右側，由整體時間軸箭頭連接。 結構：與階段1相同，垂直分為四層。 第一層：階段標題欄 文字：階段2：可控合成 樣式：與之前相同。 第二層：核心方法 文字：[核心方法] 改進的熱注入法 | 再沉澱法 | 離子摻雜 樣式：與之前相同。 第三層：研究內容（3個方框並列） 方框1：量子點合成 方框2：Sb³⁺/Bi³⁺ 摻雜改性材料製備 方框3：結構與光譜表徵 (XRD, TEM, PL, UV-Vis)，樣式與字體大小：與階段1相同。 第四層：階段目標與關鍵技術圖示 左半部分 - 階段目標方框：文字：[階段目標] 製備高純度氯基納米材料，實現精確的帶隙控制。 右半部分 - 關鍵技術圖示方框：標題：圖2：工藝流程圖 內容：[包含諸如“離心純化”等步驟的虛擬流程圖]。 樣式：與之前相同。
