提示詞描述

本文提出一種新型的基於12電晶體傳輸閘的低功耗（TGLP12T）SRAM記憶體單元，該單元採用碳奈米管場效電晶體（CNTFET）技術，適用於32奈米製程的電池供電植入式醫療設備。此單元核心採用單端讀/寫架構，解決了傳統SRAM陣列中常見的半選問題，從而促進位元交錯。該設計在下拉網路中採用堆疊式NCNTFET，以增強寫入能力和寫入雜訊容限，並在拉升路徑中採用PCNTFET，以抑制漏電功耗。完全解耦的讀取路徑改善了讀取靜態雜訊容限（RSNM），而傳輸閘控制的存取電晶體和核心反相器堆疊有助於降低動態和靜態功耗。使用史丹佛CNTFET模型的全面HSPICE模擬驗證了TGLP12T單元的性能。