Descrição do Prompt

Este artigo apresenta uma nova célula de memória SRAM de baixa potência baseada em porta de transmissão de 12 transistores (TGLP12T) utilizando FETs de nanotubos de carbono (CNTFETs) para dispositivos médicos implantáveis operados por bateria em tecnologia de 32 nm. O núcleo da célula resolve problemas de meio-seleção prevalentes em arranjos SRAM convencionais, empregando uma arquitetura de leitura/escrita single-ended, facilitando assim o entrelaçamento de bits. O projeto incorpora NCNTFETs empilhados em sua rede pull-down para melhorar a capacidade de escrita e a margem de ruído de escrita, e PCNTFETs no caminho pull-up para suprimir a potência de fuga. Um caminho de leitura totalmente desacoplado melhora a margem de ruído estático de leitura (RSNM), enquanto transistores de acesso controlados por porta de transmissão e o empilhamento do inversor do núcleo contribuem para a redução do consumo de energia dinâmico e estático. Simulações abrangentes em HSPICE usando o modelo CNTFET de Stanford validam o desempenho da célula TGLP12T.