프롬프트 설명

1. 핵생성 위치가 Fe-C 표면에서 능철석 표면으로 이동합니다. 능철석 표면의 격자 결함(예: 공석 및 도핑 위치)은 표면 에너지가 낮아 콜로이드의 선호 핵생성 위치입니다. 주사 전자 현미경(SEM) 분석 결과, 능철석이 없을 경우 부동태 피막의 90% 이상이 Fe-C 표면에 분포합니다. 능철석 첨가 후에는 부동태 피막의 75%~80%가 능철석 입자 표면에 침착되고, 소량의 느슨한 침전물만 Fe-C 표면에 남아 활성 부위 유지율이 70% 이상 증가합니다. 2. 핵생성 위치가 "단일 지점 응집"에서 "다중 지점 분산"으로 변경됩니다. 능철석이 없는 시스템에서는 부동태 피막의 핵생성 위치가 Fe-C 양극의 가장자리 부위(전자 밀도가 가장 높은 영역)에 집중되어 국부적으로 밀집된 피막을 형성합니다. 능철석의 혼입은 충전재 시스템을 "Fe-C/능철석/불활성 충전재" 다입자 혼합 상태로 만들고, 핵생성 위치는 각 입자 표면에 분산됩니다. 피막은 연속적인 코팅을 형성할 수 없으며, 분산된 피막은 수력 작용에 의해 쉽게 침식되고 벗겨져 부동태화 과정을 더욱 지연시킵니다. 3. 핵생성 위치의 유형이 "활성 반응 부위"에서 "불활성 운반체 부위"로 변경됩니다. 능철석이 없으면 핵생성 위치는 Fe-C 표면의 활성 부위이며, 피막 형성은 미세 전기 분해 반응을 직접적으로 차단합니다. 능철석 첨가 후에는 핵생성 위치가 능철석 표면의 비반응성 부위로 전환됩니다. 소량의 피막이 형성되더라도 Fe-C의 전극 반응 및 전자 전달에 영향을 미치지 않으며, 능철석 표면의 느슨한 침전물을 제거하기 위해 정기적인 역세척만 필요합니다. 위 내용을 바탕으로 과학 연구를 위한 세 가지 범주의 개략도를 작성하십시오.