프롬프트 설명

다층 그래핀을 50 ml의 탈이온수에 분산시키고 균일하게 분산될 때까지 초음파 처리하였다. 요소(Urea)를 첨가하고 완전히 용해될 때까지 자석 교반하였다. 혼합 용액을 100 mL 테프론 라이닝 오토클레이브에 밀봉하고 160°C에서 3시간 동안 수열 반응시켰다. 그런 다음 생성물을 원심 분리하고 세척한 후 밤새 진공 건조시켰다. 6수화 니켈 질산염과 4수화 망간 질산염을 칭량하여 탈이온수에 첨가하고 자석 교반하였다. NaOH를 용액의 pH가 9-10으로 조정될 때까지 비커에 한 방울씩 첨가한 다음 30분 동안 자석 교반하였다. N-MLG를 10 ml의 DI 물에 넣고 30분 동안 자석 교반하였다. N-MLG 현탁액을 위의 균질 용액에 붓고 혼합물을 테프론 반응기에 옮겼다. 혼합물을 180°C에서 16시간 동안 가열하고 잔류 시약 및 불순물을 제거하기 위해 반복적으로 세척하였다. 세척된 생성물을 진공 건조 오븐(60°C, 12시간)에서 건조시켰다. N-MLG@Ni-Mn LDH 분산액 (5 μL, 5 mg/mL)을 전처리된 SPE 작동 전극 표면에 드롭 캐스팅하고 실온에서 건조시켜 N-MLG@Ni-Mn LDH/SPCE를 얻었다. 0.121 g의 L-시스테인 (10 mM)을 칭량하여 10 mL의 0.1 M ABS 완충액 (pH=5)에 초음파 처리하여 10분 동안 용해시켰다. 변형된 전극을 위의 용액에 담그고 어두운 곳에서 4°C로 배양하였다. 전극을 꺼내어 탈이온수로 헹구어 결합되지 않은 L-시스테인을 제거하고 N-MLG/Ni-Mn LDH/L-Cys/SPCE로 표기하였다.