
Questo articolo presenta una nuova cella di memoria SRAM a basso consumo basata su gate di trasmissione a 12 transistor (TGLP12T) che utilizza FET a nanotubi di carbonio (CNTFET) per dispositivi medici impiantabili alimentati a batteria con tecnologia a 32 nm. Il nucleo della cella affronta i problemi di mezza selezione prevalenti negli array SRAM convenzionali impiegando un'architettura di lettura/scrittura single-ended, facilitando così l'interleaving di bit. Il design incorpora NCNTFET impilati nella sua rete pull-down per migliorare la capacità di scrittura e il margine di rumore di scrittura, e PCNTFET nel percorso pull-up per sopprimere la potenza di dispersione. Un percorso di lettura completamente disaccoppiato migliora il margine di rumore statico di lettura (RSNM), mentre i transistor di accesso controllati da gate di trasmissione e l'impilamento dell'inverter del nucleo contribuiscono alla riduzione del consumo di energia dinamica e statica. Simulazioni HSPICE complete utilizzando il modello CNTFET di Stanford convalidano le prestazioni della cella TGLP12T.
Ricerca progressiva in tre fasi: dall'analisi del meccanismo...