
Cet article présente une nouvelle cellule de mémoire SRAM basse consommation (TGLP12T) à 12 transistors basée sur une porte de transmission, utilisant des FET à nanotubes de carbone (CNTFET) pour les dispositifs médicaux implantables alimentés par batterie en technologie 32 nm. Le cœur de la cellule résout les problèmes de demi-sélection courants dans les matrices SRAM conventionnelles en employant une architecture de lecture/écriture asymétrique, facilitant ainsi l'entrelacement de bits. La conception intègre des NCNTFET empilés dans son réseau pull-down pour améliorer la capacité d'écriture et la marge de bruit d'écriture, et des PCNTFET dans le chemin pull-up pour supprimer la puissance de fuite. Un chemin de lecture entièrement découplé améliore la marge de bruit statique de lecture (RSNM), tandis que les transistors d'accès contrôlés par porte de transmission et l'empilement de l'inverseur central contribuent à réduire la consommation d'énergie dynamique et statique. Des simulations HSPICE complètes utilisant le modèle CNTFET de Stanford valident les performances de la cellule TGLP12T.
Recherche progressive en trois étapes : de l'analyse du méca...