Descripción del prompt

Este artículo presenta una novedosa celda de memoria SRAM de baja potencia basada en una puerta de transmisión de 12 transistores (TGLP12T) que utiliza FETs de nanotubos de carbono (CNTFETs) para dispositivos médicos implantables que funcionan con baterías en tecnología de 32 nm. El núcleo de la celda aborda los problemas de media selección prevalentes en las matrices SRAM convencionales mediante el empleo de una arquitectura de lectura/escritura de un solo extremo, lo que facilita el entrelazado de bits. El diseño incorpora NCNTFETs apilados en su red pull-down para mejorar la capacidad de escritura y el margen de ruido de escritura, y PCNTFETs en la ruta pull-up para suprimir la potencia de fuga. Una ruta de lectura totalmente desacoplada mejora el margen de ruido estático de lectura (RSNM), mientras que los transistores de acceso controlados por puerta de transmisión y el apilamiento del inversor del núcleo contribuyen a reducir el consumo de energía dinámico y estático. Simulaciones exhaustivas en HSPICE utilizando el modelo CNTFET de Stanford validan el rendimiento de la celda TGLP12T.