
Diese Arbeit stellt eine neuartige 12-Transistor-Übertragungsgatter-basierte Low-Power (TGLP12T) SRAM-Speicherzelle vor, die Carbon Nanotube FETs (CNTFETs) für batteriebetriebene implantierbare medizinische Geräte in 32-nm-Technologie verwendet. Der Zellkern adressiert Halbselektionsprobleme, die in herkömmlichen SRAM-Arrays vorherrschen, durch die Verwendung einer Single-Ended-Lese-/Schreibarchitektur, wodurch Bit-Interleaving ermöglicht wird. Das Design beinhaltet gestapelte NCNTFETs in seinem Pull-Down-Netzwerk, um die Schreibfähigkeit und die Schreibstörfestigkeit zu verbessern, und PCNTFETs im Pull-Up-Pfad, um die Leckageleistung zu unterdrücken. Ein vollständig entkoppelter Lesepfad verbessert die statische Leserauschmarge (RSNM), während Übertragungsgatter-gesteuerte Zugriffstransistoren und Core-Inverter-Stacking zu einem reduzierten dynamischen und statischen Stromverbrauch beitragen. Umfassende HSPICE-Simulationen unter Verwendung des Stanford CNTFET-Modells validieren die Leistung der TGLP12T-Zelle.
Dreistufige, progressive Forschung: von der Analyse grundleg...